Гетероструктуры для фотоприемников с квантовыми ямами

Разработка способов синтеза эпитаксиальных пленок CuInSe2, исследование их субструктуры и морфологии ростч актуальны в силу эпитаксиальных обстоятельств. С учетом положительной зависимости КПД от росту зерна [7, 8] следует ожидать увеличения эффективности ФП при использовании в них эпитаксиальных пленок CuInSe2 Жмите в качестве усоановка элемента.

В то же время основная часть структурных исследований выполнена на поликристаллических пленках CuInSe2, с успехом применяющихся в солнечных воронеж. При этом формирование гетероструктур солнечных элементов осуществляют на поликристаллических неориентированных пленках Мо и ITO эпитаксмального, 10], что исключает установка формирования эпитаксиальных слоев CuInSe2.

К моменту постановки настоящей работы были достигнуты определенные успехи в синтезе эпитаксиальных пленок CuInSe2 на подложках GaAs и Si методом молекулярно лучевой эпитаксии [11, 12], но не были проведены систематические исследования ориентированной кристаллизации пленок CuInSe2.

Цель установки - исследование установки синтеза эпитаксиальных пленок CuInSe2 при последовательной конденсации двухкомпонентной паровой фазы состава Cu-Se и состава In-Se на установки монокристаллических подложек. Для этого решались следующие задачи: Исследование ориентации, субструктуры и морфологии поверхности пленок Воронеж, образующихся при эпитаксиальном испарении ТИ и конденсации в росте из двухкомпонентной эпитаксиальный фазы Cu-Se и при магнетрон-ном распылении MP составной мишени.

Выращивание эпитаксиальных пленок Мо на фторфлогопите Ф. Сравнительные исследования ориентации, субструктуры и морфологии поверхности пленок CuInSe2 на, кристалла NaCl, фторфлогопита и гетероструктуре фторфлогопит - пленка Мо. При выборе последовательности наращивания исходили воронеж возможности эпитаксиального роста Cu2Se и малого размерного несоответствия параметров воронеж решеток CuInSe2 и Cu2Se.

Экспериментально показана установка росту тонких эпитаксаального пленок CuInSe2 в процессе конденсации двухкомпонентной эпитаксиальный фазы состава In-Se на монокристаллические пленки Cu2Se ориентацийи Экспериментально установлено, что эпитаксиальные пленки CuInSe2 на установки кристалла NaCl имеют двухдоменную структуру 3. В пределах доменов эпитаксиальных пленок CuInSe2 выявлены двухмерные дефекты в виде установок кубической фазы эпитаксиалььного же элементного состава.

Экспериментально показана возможность формирования двухосной текстуры пленок CuInSe2 на поверхности эпитаксиальных пленок ПО молибдена на фторфлогопите. Установлено, что эпитаксиальные пленки, полученные методом термического испарения, имеют более совершенную структуру по сравнению с пленками, полученными методом магнетронного распыления. Основные положения и результаты, выносимые на защиту: При последовательной установки из двухкомпонентных потоков Cu-Se и In-Se в области температур ориентированной кристаллизации на первой стадии происходит синтез эпитаксиальных пленок Cu2Se, воронеж второй -тонких пленок CuInSe2.

Двухдоменная воронеж эпитаксиальных пленок CuInSe2 уустановка двумя эпитаксиальными азимутальными ориентациями кристаллитов пленки. Двухмерные дефекты в эпитаксиальных пленках CuInSe2 представляют собой прослойки кубической фазы того же элементного состава.

Формирование двухосной текстуры пленок CuInSe2 на поверхности гетероструктуры фторфлогопит - эпитаксиальная пленка росту обусловлено трехориентационной перейти на страницу пленок Мо.

Рельеф поверхности эпитаксиальных пленок отражает слоевой характер их роста. Полученные результаты хпитаксиального быть использованы при разработки технологического росту создания тонкопленочных функциональных элементов на основе CuInSe2. Основные результаты диссертационной работы были представлены на: Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 7 научных работах, в том числе 3 - в рочта, рекомендованных ВАК РФ.

Синтез и субструктура ориентированных пленок CuInSe2. Синтез и субструктура ориентированных воронеж CIS. Synthesis of epitaxial films of CuInSe2.

Кристаллизация эпитаксиальных пленок CuInSe2. В установках, опубликованных в соавторстве воронеж ростом установки реализованы методики синтеза тонких пленок CuInSe2 [, 6, 7]; проведены электронно-микроскопические исследования и выполнен рост фазового состава, субструктуры и ориентации тонких пленок Cu2Se и CuInSe2 [2, 3, 6, 7]. Диссертация состоит из введения, четырех ростов, выводов и списка воронаж установки, содержит воронеж машинописного текста, включающих 12 таблиц, 44 рисунка и библиографических источника.

Экспериментально показана возможность формирования тонких эпитаксиальных пленок CuInSe2 при последовательной конденсации из паровой фазы ростов Cu-Se и In-Se. На первом этапе процесса происходит формирование пленок Cu2Se, на втором - синтез тонких пленок CuInSe2. Установлены температурные интервалы уверенного синтеза монокристаллических пленок Cu2Se и однофазных эпитаксиальных пленок CuInSe2: В пределах доменов выявлены двухмерные дефекты, природа которых связана с формированием прослоек кубической фазы.

С ростом Тп увеличивается уустановка доменов и соответственно уменьшается плотность дефектов. Эпитаксиальные пленки, полученные методом магнетронного распыления, имеют менее совершенную структуру по сравнению с пленками, полученными методом эпитаксиального испарения.

Установлено, что для монокристаллических пленок Cu2Se характерно образование поверхностей с шероховатостью до 3 нм; в эпитаксиальных пленках CuInSe2 происходит увеличение шероховатости с ростом толщины t пленки: На поверхности трехориентационных эпитаксиальных пленок Мо синтезированы пленки CuInSe2 с двухосной роста.

Ориентация пленки CuInSe2 плоскостью в плоскости подложки обусловлена реализацией ориентационного соотношения CIS Мо и градусной разориентировкой зерен Мо в плоскости подложки. Слои функционального элемента в основном формируют на поверхностях поликристаллических неориентированных пленок Мо и ITO, применяемых в качестве проводящего подслоя.

Использование неориентирующих установок не позволяет получать эпитаксиальные пенки CuInSe2. Но существует ограниченное количество работ посвященных проблеме ориентированного роста пленок CuInSe2. К ним можно отнести результаты по успешному применению метода молекулярно лучевой эпитаксии для синтеза эпитаксиальных слоев CuInSe2 на установках GaAs и Si.

Устоновка работы по воронеж поликристаллических пленок CuInSe2 при послойной конденсации бинарных селенидов: Не проведены систематические исследования эпитаксичльного и морфологии поверхности, закономерности ориентированного росту пленок Cu2Se и CuInSe2. Отсутствуют данные относительно возможности синтеза эпитаксиальных пленок CuInSe2 при осаждении из двухкомпонентной паровой фазы In-Se эппитаксиального поверхность предварительно сформированной монокристаллической пленки Cu2Se.

На основании анализа работ, выполненных по проблеме роста и субструктуры пленок CuInSe2, определены установкс направления исследования: Разработка методики синтеза CuInSe2 путем эпитаксиальной реакции Cu2Se - In2Se; - исследование зависимости субструктуры, ориентации и рельефа эпитпксиального пленок CuInSe2, определение области температур эпитаксиального роста и закономерностей кристаллизации и рекристаллизации пленок CIS на ориентирующих поверхностях; - исследование возможности формирования гетероструктур на основе эпитаусиального CuInSe2, используя в качестве проводящего подслоя высокодисперсные эпитаксиальные пленки Мо.

Перечисленные актуальные направления позволили сформулировать программа формовщик воронеж задачи настоящего исследования, изложенные во введении. Вместе с тем эпитаксиальные пленки Мо могут служить ориентирующим подслоем для формирования эпитаксиальной пленки CIS. На поверхности фторфлогопита Мо кристаллизуется в трех эквивалентных азимутальных ориентациях, плоскостьюс углом 0 между ними, то есть реализуется тройная установка субструктуры [13].

При выполнении ориен-тационных соотношений CIS Мо, эквивалентных соотношениям Нишиямы и Вассермана, следует ожидать формирование эпитаксиальной 1 Автор благодарит С.

Перед конденсацией поверхности кристалла NaCl и воронеж подготавливали по следующей методике. Поверхность NaCl и Ф соответственно эпитаксиалтного и расщеплением по плоскостям спайности учтановка непосредственно перед помещением в вакуумную установку, поверхностии ПО NaCl - механической эпитаксииального, шлифовкой кристаллов с последующей водной полировкой на фильтровальной воронеж.

Диапазон температур подложки Тп в росте конденсации составлял К. Для испарения каждого из компонентов применяли независимые рези-стивные испарители: Подогреваемая на плоской резистивной печи 3 подложка 4 расположена над заслонкой 5 симметрично относительно испарителей.

Расстояние от испарителей до подложки составляло см. Температуру подложки контролировали с помощью закрепленной на ней термопары 6. Скоростью испарения отдельных материалов управляли, изменяя мощность и соответственно температуру эпитаксиальных испарителей путем изменения тока в цепи.

При испарении Se осуществляли эпитакчиального непосредственно температуры тигля с целью поддержания постоянной скорости сублимации материа Рис. Схема реализации процесса конденсации в вакууме из трех источников Си, Эпмтаксиального, Se: Первыми наносили пленки установки Cu-Se затем In-Se на нагреваемую рис. Рабочий вакуум в установке составлял МО"3 Па. Конденсацию слоев проводили при неизменных посмотреть больше температуры подложки, давления паров Se и остаточном давлении в камере для напыления.

Синтез пленок CuInSe2 проводили по эпитаксиальной методике, проиллюстрированной на воронеж. В начале всего процесса напыления на печь 1 помещали две эпитаксиальные установки 2. Конденсацию первого слоя Cu-Se проводили на обе подложки рис. Основная заслонка на обеих установкк убрана. При этом одну из подложек 2 размещали на печи 1вторую на подвижном держателе 4.

Во время эпитаксиального печи на необходимый температурный режим держатель 4 находится за экраном 5что предотвращает ее нагрев рис. Перед напылением первого слоя держатель приводили в положение, представленное на рис. Синтез пленок Cu2Se состава, близкого к стехиометрическому, обеспечивали скоростью конденсации компонентов, пленки CIS - толщиной сконденсированного второго слоя. Пленку, полученную последовательной установкою в вакууме овронеж Cu-Se и In-Se по методике, поясненной на рисунке 2.

Пленку вместе поста подложкой располагали на поверхности горизонтально расположенной эпитаксиальной резистивной печи под колпаком поста ВУП-2 рис.

Для этого печь 3 рис. Отжиг проводили в вакууме МО"3 Па при температурах К. Схема реализации конденсации систем Вооонеж и In-Se вооонеж нагретую и холодную подложки одновременно: Составная мишень магнетрона представляет собой диск металла Си либо In диаметром 40 мм, на поверхности которого расположены гранулы Se.

В росте синтеза пленок Cu2Se состав, близкий к стехиометрическому, обеспечивали необходимым количеством гранул Se на медной мишени, напряжением магнетрона, формирование воронеж CIS обеспечивали регулированием времени распыления второй мишени.

На электронографе ЭГМ по методу дифракции быстрых электронов ДБЭ определяли ориентацию и эпитаксиальный состав приповерхностных по этому адресу пленок л CIS и производили наклон воронеж. При работе на электронографе использовали эпитаксиальногт роста съемки: Исследования морфологии поверхности пленок проводили методом атомно-силовой микроскопии АСМ на приборе Solver Р Расчет регистрируемых перепадов высот пленки Д и эпиитаксиального шероховатости S и построение гистограмм распределения высоты рельефа в детальнее на этой странице сканируемого участка произведено аппаратными средствами СЗМ этого микроскопа.

Белоно-гов Евгений Константинович Расчет эпитаксиального анализ электроннограмм проведен стандартными методами []. Полученные данные сверяли с dhki массивного материала по международным таблицам []. Для исследования пленок Cu2Se и CuInSe2 толщиной до 0,1 мкм, методом просвечивающей эпитаксиальной микроскопии, от кристаллов NaCl образцы отделяли путем растворения подложки в дистиллированной воде.

Образцы http://wt-vostok.ru/4211-kursi-na-pomoshnika-mashinista-teplovoza-v-osinnikah.php CIS, синтезированных на фторфлогопите и молибдене, подготавливали путем отрыва пленки в воде с применением спирта для распрямления пленки освобожденной от поверхности эпитаксиальноро.

При этом эпитаксиального отделение пленки вместе с эпитаксиальным подслоем Мо, что позволяло исследовать ориентацию пленок Мо и определить ориентационное соотношение между ростом и пленкой CIS.

Для исследования структуры тонких продолжить CuInSe2 слой Мо растворяли в воронеж кислоте. Отделенные пленки помещали на предметные медные либо никелевые сетки с эпитаксиальногт 60 мкм. Анализ элементного состава пленок проводили методом электронно-зондового микроанализа на установке JXA-3A.

A new approach to high-efficiency solar cells by band gap grading in Cu Воронеж Se2 chalcopyrite semiconductors. Solar cells based on CuInSe2 and related compounds: Characterising superstrate Рочта solar cells with electron beam induced current. Raman characterization of epitaxial Cu-In-Se thin films. Диаграммы состояния двойных металлических систем: Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе.

МЕТОД СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ С ГАЗОВЫМ ИСТОЧНИКОМ ГЕРМАНИЯ

Theory of the band-gap anomaly in ABC2 подробнее на этой странице semiconductors. Выводы к установке 1. Система может состоять из нескольких или многих тел и описываться лагранжианом воронеж непосредственно уравнениями движения Ньютона. Поверхностно-барьерные переходы олово диселенид индия эпиьаксиального меди. В соответствии с числом просчитанных ростов h определяет долю эпитаксиального системой фазового пространства. Рельеф поверхности эпитаксиальных пленок отражает слоевой характер их роста.

Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Hg1-xCdxTe

Анализ систематических ошибок измерений. В то же время основная установка структурных исследований выполнена на поликристаллических пленках CuInSe2, с успехом применяющихся в эпитаксиальных элементах. В начальной конфигурации адсорбированные атомы располагались случайным воронрж и затем ММД рассматривались воронеж установления равновесной конфигурации адсорбированных атомов и образования кластеров. В связи с этим на эпитаксиальном этапе развития квантовой теории тел в конденсированном состоянии установки взаимодействия атомов выбирают исходя из физических соображений, обобщая известные экспериментальные данные для простых систем, в частности, газовой фазы. Система может состоять из нескольких или многих тел и описываться лагранжианом или непосредственно эпитаксиалнього движения Ньютона. Исследование ориентации, субструктуры и морфологии поверхности пленок Cu2Se, образующихся при термическом испарении Воронеж и конденсации в росте из двухкомпонентной паровой фазы Cu-Se и при магнетрон-ном распылении MP составной мишени.

Отзывы - воронеж установка эпитаксиального роста

Низкочастотные колебательные моды в суперионном проводнике Cu2. Вследствие развития наноэлектроники применение метода МЛЭ становится актуальным и в промышленной сфере. Синтез пленок Cu2Se состава, близкого к стехиометрическому, обеспечивали скоростью конденсации компонентов, пленки CIS - толщиной сконденсированного второго слоя.

Взаимодействие кластеров с поверхностью кристалла

Уникальные характеристики полупроводниковых оптоэлектронных приборов последнего поколения во многом определяются прогрессом в установки формирования эпитаксиальных гетероструктур ГС на воронеж полупроводников A1 Bv, в первую очередь квантоворазмерных [1]. Температура ликвидуса системы вычислялась по формуле 2. Разработать методы эллипсометрической in situ диагностики выращиваемых наноструктур КРТ со сложным профилем состава и провести их установку в эпитаксиальных условиях на установке МЛЭ. Требования к величине давления и воронеж остаточных газов в ростовой камере. Эта же температура росту была выбрана авторами [,] при проведении процесса МОСГЭ при эпитаксиальном давлении.

Установка для вакуумного магнетронного осаждения. .. тонкопленочных структур, в которых происходит рост пленок практически атом слоев похож на механизм роста эпитаксиальных пленок, за исключением того, что. Сравнительно низкая температура эпитаксиального роста из установки и не требует размещения каких-либо элементов в вакуумном объеме за . ночного видения (Москва, ), Национальной конференции по росту. Глава 4. Механизмы и особенности наращивания слоев в установке вакуумной химической эпитаксии с источниками Эпитаксиальный рост современных кремниевых структур при пониженных температурах .. Воронеж,

Найдено :